GaAs/Ge太阳电池界面特性研究

• 作者: 张忠卫 池卫英 王亮兴 陆剑峰 陈鸣波
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 GaAs/Ge 界面
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 505-507
• 页数: 3页
• 分类号: TM514
• 字数: 1540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.015

摘要

采用低压金属有机物化学气相沉积(MOVPE)工艺,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区,导致电池性能严重下降,而Ga和As的扩散,常常导致异常Ⅳ曲线; 在GaAs外延层观察到的主要晶体缺陷是反相畴和线位错,通过降低生长温度和优化成核条件,获得了较好的界面特性,在n-Ge衬底上获得了效率为20.2% (AM0,25 ℃,2 cm×4 cm)的GaAs电池,在p-Ge衬底上获得了性能较好的Ge电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王亮兴		7	173	4.0	7.0
2	张忠卫		11	192	5.0	11.0
3	池卫英		11	178	4.0	11.0
4	陈鸣波		23	344	9.0	18.0
5	陆剑峰		8	174	4.0	8.0