IR 40V同步整流MOSFET优化电信和数据通讯应用

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 同步整流 MOSFET 优化 电信 数据通讯 IR公司
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 页码范围: 68
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

国际整流器公司(IR)新发布的IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET，优化了电信系统中的隔离式DC-DC转换器。该器件的额定电压为40V，当用于配备IR2085S原边PWM集成电路的隔离式DC—DC总线转换器中的副边同步整流时，可在150W全负载条件下效率达到95．2％。