左旋多巴在单层碳纳米管修饰电极上的电化学行为

• 作者: 吕元琦 王亮 袁倬斌
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 单层碳纳米管 修饰电极 左旋多巴
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: O657.1
• 字数: 2373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0720.2004.06.004

摘要

单层碳纳米管修饰电极对左旋多巴的电化学氧化还原具有很高的催化活性.在pH 4.6的0.1 mol/L HAc NaAc 缓冲溶液中,可得到一对峰形很好的氧化还原峰.电极反应受扩散控制,反应过程中电子的得失伴随着等量的质子参与.氧化峰电流与左旋多巴浓度在2.1×10-4～5.0×10-6 mol/L范围内成线性关系,检出限为 2.0×10-6 mol/L.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王亮	中国科学院研究生院应用化学研究所	127	2555	16.0	49.0
5	袁倬斌	中国科学院研究生院应用化学研究所	102	1144	21.0	26.0
9	吕元琦	中国科学院研究生院应用化学研究所	23	250	10.0	15.0