快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响

• 作者: 乔治 任丙彦 刘彩池 张建峰 李养贤 郝秋艳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CZSi 原生微缺陷 流动图形缺陷 原子力显微镜 快速退火
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 747-750
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2533字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.011

摘要

本文利用快速退火对 8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了 FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3%)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丙彦	河北工业大学信息功能材料研究所	31	241	9.0	14.0
2	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
3	郝秋艳	天津大学电信学院	37	179	9.0	12.0
7	李养贤	河北工业大学信息功能材料研究所	51	362	12.0	17.0
8	乔治	河北工业大学信息功能材料研究所	4	16	2.0	4.0
9	张建峰	河北工业大学信息功能材料研究所	3	7	2.0	2.0