一种高性能CMOS晶体振荡电路的设计

• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 高性能 相位噪声 设计方案 晶体振荡电路 接收器 频率牵引 石英晶体谐振器 启动时间 频率稳定度 晶体振荡器
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TN752
• 语种: 中文

摘要

本文对晶体振荡器的线性和非线性理论给出一般性的理论描述.它建立在高Q值的谐振电路基础上.常见的是三点振荡器,包括Pierce振荡器以及单端口振荡器.通过对电路的阻抗进行根轨迹分析,则能更清晰地了解电路的非线性性能.通过无损耗假设,可得到起振的基本条件以及频率牵引度、临界阻抗及启动时间等表达式.作为在RF设计中的一个应用电路,本文给出一种应用在接收器芯片中的高性能CMOS晶体振荡器设计,该芯片用0.25μm CMOS工艺实现,仿真结果与系统要求一致.