宽禁带半导体金刚石

• 作者: 吕懿 张鹤鸣 戴显英 朱国良 李发宁
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带 金刚石 MPCVD 大功率
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 43-49
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.1+8
• 字数: 6686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2004.07.010

摘要

较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景.同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势.该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量.对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析.最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
3	李发宁	西安电子科技大学微电子所	2	37	2.0	2.0
4	朱国良	西安电子科技大学微电子所	3	47	3.0	3.0
5	吕懿	西安电子科技大学微电子所	14	99	6.0	9.0