铜互连及其相关工艺

• 作者: 翁寿松
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 低K绝缘层 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 14-16,36
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 3120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.03.003

摘要

介绍了铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺.ITRS2001/1999对铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺提出了具体的要求和进程.ITRS2001比ITRS1999整整提前了一年.铜互连和金属间低K绝缘层可解决布线RC延迟问题,CMP可解决晶圆表面不平整问题.IC特征尺寸、铜互连层厚度、金属间低K绝缘层厚度和Cu/低K-CMP所用研磨膏粒子尺寸都已步入纳米级,从而进一步提高了高端IC的密度和速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁寿松		95	534	13.0	18.0