ITO薄膜微结构对其光电性质的影响

• 作者: 曾明刚 林爱清 王水菊 邓彩玲 陈松岩 陈谋智
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 掺锡氧化铟(ITO)薄膜 磁控溅射 微结构
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 496-499
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|TN305.8|TN304.2
• 字数: 2428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2004.04.017

摘要

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因.为研制新型光电器件的透明电极提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓彩玲	厦门大学物理学系	9	49	3.0	7.0
2	陈松岩	厦门大学物理学系	68	248	8.0	12.0
3	王水菊	厦门大学分析和测试中心	21	199	9.0	13.0
4	陈谋智	厦门大学物理学系	12	82	6.0	9.0
5	曾明刚	厦门大学物理学系	4	44	2.0	4.0
6	林爱清	厦门大学物理学系	9	50	3.0	7.0