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摘要:
采用辉光放电质谱法(GDMS)对高纯半导体材料锑中的Mg、Si、S、Mn等14种痕量杂质元素进行测量.对仪器工作参数进行了优化选择,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨.实验表明:样品经足够长时间的溅射,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据.辉光放电质谱法是检定高纯半导体材料的理想工具.
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文献信息
篇名 辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素
来源期刊 质谱学报 学科 化学
关键词 质谱学 痕量杂质测定 辉光放电质谱法(GDMS) 高纯锑
年,卷(期) 2004,(2) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 96-99
页数 4页 分类号 O657.63|O612.5
字数 2441字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.02.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 普朝光 10 87 7.0 9.0
2 姬荣斌 50 200 7.0 10.0
3 荣百炼 7 43 3.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
质谱学
痕量杂质测定
辉光放电质谱法(GDMS)
高纯锑
研究起点
研究来源
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相关学者/机构
期刊影响力
质谱学报
双月刊
1004-2997
11-2979/TH
大16开
北京275信箱65分箱中国原子能科学研究院
82-349
1980
chi
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