三端双向负阻晶体管的模拟与实验

• 作者: 张世林 梁惠来 毛陆虹 莫太山 郑云光 郭维廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双向负阻晶体管 三端 S型负阻 器件模拟
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 986-990
• 页数: 5页
• 分类号: TN323+.6
• 字数: 3087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.019

摘要

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院微电子系	165	736	12.0	20.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院微电子系	109	334	8.0	11.0
3	郭维廉	天津大学电子信息工程学院微电子系	145	419	10.0	12.0
4	梁惠来	天津大学电子信息工程学院微电子系	37	130	7.0	9.0
5	郑云光	天津大学电子信息工程学院微电子系	28	73	6.0	6.0
6	莫太山	天津大学电子信息工程学院微电子系	6	5	1.0	1.0