添加TiO2的ZnO压敏电阻的晶粒生长研究

• 作者: 何忠伟 孙丹峰 徐政
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 关键词: ZnO压敏电阻 TiO2 晶粒长大 生长锥
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究工作快报
• 页码范围: 103-105
• 页数: 3页
• 字数: 2575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2004.06.028

摘要

电子产品对低压压敏电阻的需求日益增长;添加TiO2可以使ZnO压敏电阻的晶粒长大,能有效地对压敏电阻进行低压化;实验证明了TiO2晶粒助长的作用,并对新发现的突起物现象进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政	同济大学材料科学与工程学院	160	2312	24.0	39.0
2	何忠伟	同济大学材料科学与工程学院	7	61	4.0	7.0
3	孙丹峰		16	169	7.0	12.0