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摘要:
研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性.以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的微晶金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(<1V/μm),发射电流增大(>90mA/cm2),场发射性能稳定,并对这种场发射特性做出了理论解释.
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文献信息
篇名 多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及其场电子发射
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 多孔硅 金刚石薄膜 场电子发射
年,卷(期) 2004,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 288-291
页数 4页 分类号 O484.1
字数 1740字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贺德衍 兰州大学物理科学与技术学院 68 559 13.0 19.0
2 陈光华 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室 5 73 5.0 5.0
6 蔡让岐 兰州大学物理科学与技术学院 3 25 2.0 3.0
7 宋雪梅 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室 44 498 11.0 21.0
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金刚石薄膜
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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