Czochralski法生长Lu2SiO5:e晶体的发光特性

• 作者: 任国浩 李焕英 秦来顺 陆晟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LSO 晶体生长 发光性能
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 520-523
• 页数: 4页
• 分类号: O782.5|O734.3
• 字数: 1004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.012

摘要

本文使用铱坩埚感应加热Czochralski法成功地生长出了无色透明且尺寸达φ50mm×60mm 的Lu2SiO5:e晶体.XRD结构分析表明, 该晶体为单斜结构.在室温下分别以X射线和紫外光为激发源测量了该晶体的发射光谱,获得的发射波长分别为403nm和420nm,光衰减时间为41ns,光产额达32000p/MeV.发射光谱的双峰结构以及晶体的发光特性证明其发光源于Ce3+离子的5d1→5F5/2 和 5d1→5F7/2跃迁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任国浩	中国科学院上海硅酸盐研究所	59	357	9.0	15.0
2	秦来顺	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	71	5.0	7.0
3	陆晟	中国科学院上海硅酸盐研究所	12	58	5.0	7.0
4	李焕英	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	61	5.0	7.0