纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响

• 作者: 严群 涂铭旌 陈家钊
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏阀片 纳米ZnO 电性能 微观结构
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TM283
• 字数: 2568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.04.011

摘要

研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理.研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高.在质量分数为0～30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势.当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149.在0～10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%～30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高.当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂铭旌	四川大学材料科学与工程学院	451	5014	31.0	47.0
2	陈家钊	四川大学材料科学与工程学院	37	560	11.0	23.0
3	严群	四川大学材料科学与工程学院	11	76	6.0	8.0