CVD法制备碳纳米管中应用硫添加物的热力学研究

• 作者: 毋俊生 王利生 裴振昭
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: CVD 碳沉积率 碳沉积边界曲线 碳沉积区
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 科学研究
• 页码范围: 36-38,42
• 页数: 4页
• 字数: 2809字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2004.07.012

摘要

利用俄罗斯科学院研制的CVD(Chemical vapor deposition)软件计算分析了CH4-H2S体系在101325Pa、900～1300K,CO-H2S体系在101325Pa、900～1200K下不同硫添加物含量及温度对碳沉积率的影响;绘制了碳沉积边界曲线,预测了碳沉积区;计算筛选出了适合于不同体系制备碳纳米管的催化剂.证明了加入硫添加物可以提高碳纳米管沉积率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王利生	北京理工大学化工与环境学院	64	499	13.0	17.0
2	毋俊生	北京理工大学化工与环境学院	13	56	5.0	7.0
3	裴振昭	北京理工大学化工与环境学院	3	9	2.0	3.0