介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

• 作者: 李雪春 王友年
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体浸没离子注入 脉冲鞘层 绝缘介质 充电效应
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 2666-2669
• 页数: 4页
• 分类号: O53
• 字数: 2207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.044

摘要

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小.