GaAs光电阴极p型掺杂浓度的理论优化

• 作者: 宗志园 常本康 杜晓晴
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs光电阴极 掺杂 量子效率 扩散长度 逸出几率
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 195-198
• 页数: 4页
• 分类号: TN152|TN745.1
• 字数: 2353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.03.009

摘要

为了获得高量子效率的GaAs光电阴极,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长,且电子表面逸出几率大,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求,需要进行优化.本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线,并计算了不同p型掺杂浓度下的电子表面逸出几率,在此基础上计算了不同阴极厚度的GaAs光电阴极的理论量子效率随掺杂浓度的变化曲线.计算结果表明,p型掺杂浓度在～6×1018cm-3时可获得最大量子效率,掺杂浓度对量子效率的限制随阴极厚度的增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	杜晓晴	南京理工大学电子工程与光电技术学院	17	214	11.0	14.0
3	宗志园	南京理工大学电子工程与光电技术学院	20	154	9.0	11.0