硅射频微带电路S参数模拟研究

• 作者: 李树翀 汪锁发 赵知夷 韩振宇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 微带电路 S参数 反射 传输
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 241-244
• 页数: 4页
• 分类号: TN45
• 字数: 2827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.02.007

摘要

对不同电阻率硅片射频微带电路S参数进行了模拟研究.建立了5层结构的微带电路物理结构模型,对两种电阻率硅片上不同尺寸(2×10-5m到20×10-5m)微带线1～10 GHz频率范围内的S11和S21参数进行模拟计算.研究结果表明:减少低电阻率硅片(3～8 Ω穋m)线条宽度对减小信号反射和提高传输有益;高电阻率硅片(130～150 Ω穋m)上细线条尺寸微带电路信号反射和提高传输特性也更好.频率越高,高阻硅片微带电路的高频性能更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩振宇	中国科学院微电子研究所	7	102	4.0	7.0
2	李树翀	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0
3	汪锁发	中国科学院微电子研究所	2	11	2.0	2.0
4	赵知夷	中国科学院微电子研究所	1	3	1.0	1.0