磁场对GaAs/AlxGa1-xAs异质结系统中束缚极化子的影响

• 作者: 张敏 班士良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs/Al x Ga1-xAs 异质结 磁场 束缚极化子 结合能
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1618-1623
• 页数: 6页
• 分类号: O471.3
• 字数: 4587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.014

摘要

对GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统引入三角势近似异质结势,同时考虑体纵光学(LO)声子和有效近似下两支界面光学(IO)声子的影响,采用变分法讨论了外界恒定磁场对束缚于近界面杂质的光学极化子结合能的影响.利用改进的Lee-Low-Pines(LLP)中间耦合方法处理电子-声子和杂质-声子的相互作用,计算了杂质态结合能随杂质位置、磁场强度、电子面密度的变化关系.结果表明,极化子结合能随磁场呈现增加的趋势,其中LO声子对结合能的负贡献受磁场影响显著,而IO声子的负贡献受磁场的影响并不明显,但当杂质靠近界面时,杂质-IO声子相互作用对磁场的影响很敏感.结果还表明,导带弯曲作用不容忽略;电子像势对结合能的影响很小,可以忽略.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班士良	内蒙古大学理工学院物理系	58	198	8.0	9.0
2	张敏	内蒙古大学理工学院物理系	15	56	5.0	7.0