离子轰击增强金刚石膜与Si衬底结合力的进一步研究

• 作者: 刘凤艳 刘天模 张兵 徐幸梓 曾丁丁
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石膜 离子轰击 凹坑 结合力
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 679-682
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.045

摘要

由于金刚石与Si有较大的表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后,基于离子轰击使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑)增大了金刚石膜与Si衬底结合的面积,理论研究了离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘天模	重庆大学材料科学与工程学院	75	810	16.0	24.0
2	张兵	北京工业大学应用数理学院	23	79	5.0	7.0
3	徐幸梓	重庆大学材料科学与工程学院	15	63	4.0	7.0
4	曾丁丁	重庆大学材料科学与工程学院	11	55	5.0	7.0
5	刘凤艳	北京工业大学应用数理学院	18	47	4.0	5.0