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摘要:
研究了不同厚度ITO膜的大尺寸超薄导电玻璃的翘曲度,ITO膜形成期间基片温度对ITO膜层晶体化程度的影响及不同基片温度下形成的ITO膜层在不同的退火条件下的退火前、后的电阻率和膜压应力.实验发现,ITO膜层的很高的压应力是导致导电膜玻璃翘曲的直接原因;采用室温沉积非晶ITO膜,然后经高温热退火可获得低膜压应力多晶相ITO膜.基于实验结论,提出了一种适合批量生产的低翘曲度ITO膜导电玻璃的制备工艺.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 低翘曲度ITO透明导电膜玻璃的工艺研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 ITO薄膜 薄基片 压应力 翘曲度
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 384-387
页数 4页 分类号 TN304.2
字数 2921字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.05.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闫金良 烟台师范学院物理系 17 39 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
ITO薄膜
薄基片
压应力
翘曲度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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