CMOS器件的等时、等温退火效应

• 作者: 何宝平 姜景和 王桂珍 罗尹虹 龚建成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等温退火 等时退火 剂量率
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 302-306
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2949字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.013

摘要

研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了nMOSFET和pMOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:100℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过25℃与100℃等温退火结果的比较,可以确定此种器件的加速因子.相对于0V和浮空偏置条件,在+5V栅偏压退火情况下,阈值电压恢复速度快,恢复程度大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	龚建成		27	110	6.0	8.0
4	姜景和		18	78	6.0	7.0
5	王桂珍		32	156	7.0	9.0