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摘要:
为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池.本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有较好的响应.有望获得高效率的应用于AM0条件的InP太阳电池.此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器.
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文献信息
篇名 新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 磷化铟薄膜太阳电池 漂移机制 光谱响应
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 845-847
页数 3页 分类号 TM914.4
字数 1107字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.034
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 严辉 北京工业大学量子材料实验室 178 1225 16.0 29.0
2 李果华 北京工业大学量子材料实验室 2 6 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
磷化铟薄膜太阳电池
漂移机制
光谱响应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
总被引数(次)
38029
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