磁控溅射碳化硅膜的制备及其光致发光特性

• 作者: 孙海波 庄惠照 李玉国 王强 石礼伟 薛成山
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 磁控溅射 电化学腐蚀 紫光发射
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 474-476
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 1092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.06.018

摘要

采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅.样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392 nm;当样品用电化学的方法腐蚀后,获得位于376 nm的紫外光发射,且发光强度得到极大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学半导体研究所	44	186	7.0	11.0
2	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
3	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	王强	山东师范大学半导体研究所	35	177	7.0	11.0
5	石礼伟	山东师范大学半导体研究所	17	139	7.0	11.0
6	孙海波	山东师范大学半导体研究所	19	104	6.0	9.0