SiC/SiO2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究

• 作者: 庄惠照 李玉国 王书运 石礼伟 薛成山
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: SiC/SiO2复合薄膜 磁控共溅射 光致发光 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 信息材料及应用
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TB443
• 字数: 2608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.07.014

摘要

采用SiC/SiO2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了SiC/SiO2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能.结果表明,样品经高温退火后在SiO2基质中有SiC纳米颗粒形成.以280 nm波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从800℃升高至1 050℃而增强.其发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	44	186	7.0	11.0
2	王书运	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	57	450	11.0	19.0
3	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	72	276	9.0	11.0
4	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	117	476	11.0	13.0
5	石礼伟	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	17	139	7.0	11.0