退火对MOCVD法生长ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 刘博阳 刘大力 张源涛 李万成 杜国同 杨天鹏 杨小天 杨树人 赵佰军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 Si衬底 MOCVD 退火
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 151-154
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.55
• 字数: 2178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.02.020

摘要

采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1 h.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长.在样品的室温PL 谱中,观察到未退火样品的紫外发射峰的中心为3.28 eV,并观察到退火样品位于3.30 eV的自由激子发射峰和位于3.23 eV的施主-受主对的复合发光峰.实验结果表明,退火后ZnO薄膜的晶体质量得到提高.