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摘要:
提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型.该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度.此外,该宏模型结构简单,可以利用极小的计算机资源得到与传统的蒙特卡罗方法基本一致的模拟结果,并可方便地嵌入SPICE中进行一定规模的单电子晶体管电路的模拟.
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文献信息
篇名 基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 宏模型 蒙特卡罗方法
年,卷(期) 2004,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1148-1153
页数 6页 分类号 TN32
字数 2947字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋建飞 上海交通大学微纳米科学技术研究院 7 19 3.0 4.0
2 蔡琪玉 上海交通大学微纳米科学技术研究院 7 19 3.0 4.0
3 吕明 上海交通大学微纳米科学技术研究院 3 47 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
单电子晶体管
库仑阻塞
宏模型
蒙特卡罗方法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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