硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析

• 作者: 李宏煦 王淀佐
• 来源期刊: 有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: 冶金物理化学 硫化矿 半导体溶液界面 浸出 氧化机理 电化学
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 提取冶金与化学
• 页码范围: 35-37,48
• 页数: 4页
• 分类号: TF01|TF803.21|TF111.31
• 字数: 2254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1744.2004.03.011

摘要

许多硫化矿物为半导体,硫化矿氧化浸出过程实际是-半导体-溶液界面电子或空穴转移的过程.基于传统的半导体界面氧化理论,系统分析细菌存在时硫化矿-溶液界面电子或空穴转移步骤,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体-溶液界面电子及空穴转移模型,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王淀佐		45	917	17.0	29.0
2	李宏煦		15	389	9.0	15.0