AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计

• 作者: 张国义 方慧智 陆敏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN/InGaN MQW SCH
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 492-496
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 782字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.003

摘要

采用一维传递矩阵法模拟计算了AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器(发射波长为396.6nm)的波导特性.以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量,获得激光器的优化结构参数为:3周期量子阱In0.02Ga0.98N/In0.15Ga0.85N(10.5nm/3.5nm)作为有源层,90nm In0.1Ga0.9N为波导层,120周期Al0.25Ga0.75N/GaN(2.5nm/2.5nm)为限制层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义	北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心	49	229	9.0	13.0
2	陆敏	北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心	73	518	12.0	20.0
3	方慧智	北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心	1	1	1.0	1.0