GaN基外延膜的激光剥离和InGaN LD外延膜的解理

• 作者: 张国义 章蓓 聂瑞娟 胡晓东 陈科 黎子兰
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 剥离 GaN InGaN LD 解理
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 材料和元件
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2004.01.007

摘要

利用波长为248nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离.对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜(3μm)和InGaN LD外延膜(5μm)实现了大面积剥离.对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为200mJ/cm2和300mJ/cm2,优化结果表明,能量密度分别在400mJ/cm2和600mJ/cm2可实现稳定的剥离.同时对剥离后的InGaN多量子阱 LD结构薄膜进行了解理,SEM观察显示获得的InGaN LD腔面平整光滑.基于这种技术可以获得无蓝宝石衬底的GaN基光电子和电子器件.