光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究

• 作者: 张世林 梁惠来 毛陆虹 莫太山 郑云光 郭维廉
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电双向负阻晶体管 S型光电负阻 光控电流开关 数值模拟
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1260-1263
• 页数: 4页
• 分类号: TN364+.3
• 字数: 2835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2004.08.008

摘要

光电双向负阻晶体管(PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件.本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究,给出了器件等效电路.PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性.模拟和实验结果均表明:光照强度增大,维持电压基本保持不变,转折电压减小,负阻电压摆幅减小;而增大控制电压,维持电压和转折电压均增大,输出负阻特性曲线右移.上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院微电子系	165	736	12.0	20.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院微电子系	109	334	8.0	11.0
3	郭维廉	天津大学电子信息工程学院微电子系	145	419	10.0	12.0
4	梁惠来	天津大学电子信息工程学院微电子系	37	130	7.0	9.0
5	郑云光	天津大学电子信息工程学院微电子系	28	73	6.0	6.0
6	莫太山	天津大学电子信息工程学院微电子系	6	5	1.0	1.0