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摘要:
提出了一种改进的遗传算法,应用于提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.改进的算法采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制.在0.1~10GHz范围内实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数,并可合理外推至20GHz,整个过程无需人工干预.算法用Matlab语言实现,可方便地应用于HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取.
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文献信息
篇名 用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 参数提取 遗传算法 模型 MESFET
年,卷(期) 2004,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 869-873
页数 5页 分类号 TN402|TN386.3
字数 2257字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高建峰 23 98 7.0 9.0
2 夏冠群 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 61 307 9.0 16.0
3 李拂晓 60 352 10.0 14.0
4 杨乃彬 18 95 6.0 8.0
5 铁宏安 5 18 2.0 4.0
6 张有涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 19 40 4.0 5.0
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研究主题发展历程
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参数提取
遗传算法
模型
MESFET
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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