化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取

• 作者: 徐晓冬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶基片 化学机械抛光 超光滑表面
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 1031-1034
• 页数: 4页
• 分类号: O786
• 字数: 1512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.033

摘要

单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素.本文通过对比实验的方法,就采用CMP(chemical mechanical polish)工艺获取超光滑单晶基片做了深入的观察研究,并通过AFM(atomicforce microscope)的最终检测结果给出具有说服力的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晓冬	郑州经济管理学院计算机系	1	3	1.0	1.0