硅-硅直接键合制造静电感应器件

• 作者: 刘肃 陈新安 黄庆安
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件/静电感应器件 硅-硅直接键合 掩埋栅结构
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 92-94
• 页数: 3页
• 分类号: TN31/387
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2004.02.037

摘要

静电感应器件(Static Induction Device,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题.用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构--键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了VGKo通过SITH器件的研制,证明了键合掩埋栅结构能够提高VGK和整个器件的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄庆安		35	415	12.0	19.0
2	刘肃		68	261	9.0	11.0
3	陈新安		1	11	1.0	1.0