氧气后处理对氧化锌薄膜紫外发射性质的影响

• 作者: 傅竹西 廖桂红 林碧霞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 光致发光谱 缺陷 化学计量
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 129-133
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.004

摘要

为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的I-V特性的影响进行了研究.用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/p-Si异质结.在1000℃下用不同比例的氧和氮热处理,我们发现,在纯氮气中得到的样品有强的紫外发射(390nm),随氧气比例增大,紫外增强,同时绿光也产生并随之增强.但过大的氧分压反而产生多的受主缺陷,使越来越多的激发能量转移到发射能量低的绿光中心,从而使紫外减弱.在纯氧和无氧条件下热处理的俄歇谱表明纯氧下氧过量,而无氧下锌大大过量.ZnO/p-Si异质结的I-V特性表明,无氧热处理表现为典型的n-ZnO/p-Si异质结;而在纯氧气氛中处理后所得I-V曲线反向,这表明在高氧压下受主缺陷的产生,表明ZnO薄膜有可能由于高氧压热处理由n型转为p型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学院结构分析重点实验室	53	808	17.0	27.0
5	林碧霞	中国科学院结构分析重点实验室	32	700	16.0	26.0
9	廖桂红	中国科学技术大学物理系	8	281	7.0	8.0