部分耗尽0.25μm SOI射频nMOSFET

• 作者: 刘明 徐秋霞 李俊峰 杨荣 柴淑敏 赵玉印 钱鹤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 结构 工艺 仿真 实验 射频 SOI
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1061-1065
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 字数: 364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.004

摘要

结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件.制作了0.25μm SOI射频nMOSFET器件,结构和工艺参数同仿真结果一致,测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所	207	1983	20.0	38.0
2	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
3	杨荣	中国科学院微电子研究所	16	118	5.0	10.0
4	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0
5	李俊峰	中国科学院微电子研究所	29	122	7.0	9.0
6	赵玉印	中国科学院微电子研究所	4	13	2.0	3.0
7	柴淑敏	中国科学院微电子研究所	2	10	2.0	2.0