辅酶I在钴/玻碳离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用研究

• 作者: 尚军 李启隆 胡劲波 马晓梅
• 来源期刊: 分析化学
• 关键词: 辅酶Ⅰ 离子注入 修饰电极 电化学行为
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 1027-1030
• 页数: 4页
• 字数: 3528字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3820.2004.08.011

摘要

辅酶I(NAD)在0.005 mol/L Tris-0.01 mol/L NaCl (pH=7.0)缓冲溶液中,在Co/GC离子注入电极上有一良好的伏安还原峰,峰电位Ep=-1.07 V(vs.SCE).其峰电流与辅酶I (NAD)的浓度在5.0×10-5～1.0×l0-3 mol/L范围内呈线性关系;检出限为2.5×10-5 mol/L;回收率在98.8%～101.9%之间.用线性扫描和循环伏安法等方法研究该体系的电化学行为,实验表明:该体系具有吸附性和催化性的不可逆过程.根据Laviron理论,求得电极表面反应速率常数Ks＝0.077/s;电子转移系数α＝0.435.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡劲波	北京师范大学化学系	47	423	13.0	18.0
2	李启隆	北京师范大学化学系	48	405	13.0	17.0
3	尚军	北京师范大学化学系	10	110	6.0	10.0
4	马晓梅	北京师范大学化学系	1	6	1.0	1.0