纳米硅薄膜/多孔氧化铝复合体系光致发光的温度特性

• 作者: 张利宁 曹小龙 李清山 王清涛
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅 光致发光 量子限制-发光中心
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 725-730
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 4720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.06.022

摘要

利用高真空电子束蒸发方法在多孔氧化铝衬底上生长了纳米硅薄膜,经过650℃高温真空退火后,在10～300 K温度范围内观测样品的荧光光谱特性,并对样品进行了场扫描电镜(SEMi)、傅里叶变换红外吸收(FTIR)光谱、X射线衍射(XRD)谱的分析.PL谱结果表明,随着温度的升高,样品的发光峰位一般发生红移,但在50～80 K范围内却出现了反常的蓝移现象;样品的发光强度基本是按逐渐减小趋势变化的,在60～80 K之间,发光强度有少许变强.讨论了纳米硅薄膜的光致发光机理,用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王清涛	中国科学技术大学物理系	3	5	2.0	2.0