LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响

• 作者: 付生辉 刘彩池 徐岳生 王海云 郝景臣 魏欣
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: LEC SI-GaAs AB-EPD 跨导 衬底 位错 PLmapping 临界值
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 540-543
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.025

摘要

用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-EPD的片子跨导大; 高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	徐岳生	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	21	163	7.0	12.0
3	王海云	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	16	86	5.0	8.0
4	魏欣	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	6	18	2.0	4.0
5	付生辉	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	2	3	1.0	1.0