CuI晶体及其缺陷态电子结构的模拟

• 作者: 刘峰松 张睿 顾牡
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CuI晶体 密度泛函理论 电子结构 发光机理
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1-343
• 页数: 5页
• 分类号: O731
• 字数: 3476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.04.001

摘要

利用相对论密度泛函理论和嵌人分子团簇方法,模拟计算了具有闪锌矿结构的y态CuI晶体及其缺陷态的电子结构.结果显示晶体的本征能级结构:价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成,导带底由Cu4s轨道组成,禁带宽度为3.1 eV,该结果与实验相符.在不同缺陷态的计算中,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成,其中Cu3d→4s跃迁能量为3.2eV,推测与CuI晶体发光密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峰松	同济大学物理系	6	22	3.0	4.0
2	顾牡	同济大学物理系	76	433	13.0	16.0
3	张睿	同济大学物理系	42	249	10.0	14.0