HfO2高k栅介质漏电流机制和SILC效应

• 作者: 刘晓彦 康晋锋 杨红 王成刚 王漪 王玮 韩德栋 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HfO2栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel-Poole发射 SILC
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 841-846
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.019

摘要

利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层,研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)效应.对HfO2栅介质泄漏电流输运机制的分析表明,在电子由衬底注入的情况下,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起,而在电子由栅注入的情况下,泄漏电流由Schottky发射和Frenkel-Poole发射两种机制共同引起.通过对SILC的分析,在没有加应力前HfO2/Si界面层存在较少的界面陷阱,而加上负的栅压应力后在界面处会产生新的界面陷阱,随着新产生界面陷阱的增多,这时在衬底注入的情况下,电流传输机制就不仅仅是由Schottky发射机制引起,而存在Frenkel-Poole发射机制起作用.同时研究表明面积对SILC效应的影响很小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学系	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子学系	38	261	10.0	14.0
3	韩德栋	北京大学微电子学系	11	86	5.0	9.0
4	康晋锋	北京大学微电子学系	23	358	9.0	18.0
5	王玮	北京大学微电子学系	61	390	12.0	17.0
6	王成刚	北京大学微电子学系	3	25	1.0	3.0
7	杨红	北京大学微电子学系	33	204	8.0	13.0
8	王漪	北京大学微电子学系	7	44	3.0	6.0