原位生长高度定向ZnO晶须

• 作者: 张跃 袁洪涛 谷景华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 取向生长 晶须 MOCVD
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 646-650
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2446字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.059

摘要

采用大气压金属有机化合物化学气相沉积(AP-MOCVD)方法,以Zn(C5H7O2)2为原料,在玻璃基片上制备出高度定向的ZnO晶须.扫描电子显微镜观察发现晶须垂直基片取向生长,规则排列,长度、形状几乎一致.晶须直径为100nm-800nm,长径比为8-15,尖端曲率半径仅为50nm,甚至更小.x射线衍射(XRD)分析结果表明ZnO晶须为六方晶系纤锌矿结构,并沿c轴高度取向.采用热分析对反应前驱物进行了研究,同时也讨论了ZnO生成的化学反应过程,并提出了ZnO晶须非外延生长的简单模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷景华	北京航空航天大学材料学院	22	133	6.0	10.0
2	张跃	北京航空航天大学材料学院	74	543	14.0	19.0
3	袁洪涛	北京航空航天大学材料学院	4	35	2.0	4.0