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少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性
少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性
作者:
廖天康
游志朴
潘飞蹊
黄林
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
少数载流子寿命
VF-trr兼容特性
反向漏电流
trr-T稳定特性
摘要:
提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结构.利用普通的p+nn+二极管芯片,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质,制备出了掺Au、Pt的MLD快恢复二极管.测试结果表明,虽然这种快恢复二极管正向压降-反恢时间兼容特性略差,且反向漏电流较大,但是具有十分良好的反恢时间-温度的稳定特性,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域.
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文献信息
篇名
少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
少数载流子寿命
VF-trr兼容特性
反向漏电流
trr-T稳定特性
年,卷(期)
2004,(3)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
297-301
页数
5页
分类号
TN32
字数
2926字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
潘飞蹊
电子科技大学微电子所
5
58
4.0
5.0
2
黄林
四川大学物理系
16
46
4.0
6.0
3
廖天康
四川大学物理系
1
3
1.0
1.0
4
游志朴
四川大学物理系
4
4
1.0
2.0
传播情况
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1978(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1983(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1984(3)
参考文献(3)
二级参考文献(0)
1989(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2004(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
2007(1)
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二级引证文献(1)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
2013(1)
引证文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(4)
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引证文献(0)
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2017(4)
引证文献(0)
二级引证文献(4)
2019(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
少数载流子寿命
VF-trr兼容特性
反向漏电流
trr-T稳定特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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