化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展

• 作者: 吴雪兰 宋晓岚 曲鹏 王海波 邱冠周
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) SiO2 浆料
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 字数: 5206字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2004.12.007

摘要

随着半导体工业和集成电路(IC)工艺的飞速发展,化学机械抛光(CMP)作为目前唯一能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术,已成为各国争相研究的热点.介绍了CMP技术的产生、优势、发展、理论、设备与耗材;着重介绍了SiO2浆料的国内外研究现状,并展望了CMP技术及SiO2浆料的研究开发和应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋晓岚	中南大学资源生物学院	75	1681	20.0	39.0
2	邱冠周	中南大学资源生物学院	335	5466	36.0	53.0
3	王海波	中南大学资源生物学院	62	923	16.0	29.0
4	曲鹏	中南大学资源生物学院	19	602	12.0	19.0
5	吴雪兰	中南大学资源生物学院	20	673	13.0	20.0