离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响

• 作者: 于春利 张义门 张玉明 杨林安 陈刚 黄念宁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 退火 表面分析 欧姆接触 I-V特性
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 486-491
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.002

摘要

采用人造刚玉高温炉管对4H-SiC进行1620℃的离子注入后退火.实验测试发现,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下,SiC表面与残余的氧成分反应生成衍生物SiOC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低.分别采用该种样片和正常样片制作了单栅MESFET,对比测试的欧姆接触和I-V输出特性,评估了高温退火后材料表面对器件的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子研究所	17	95	6.0	9.0
3	于春利	西安电子科技大学微电子研究所	8	63	4.0	7.0
4	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
5	陈刚		19	61	5.0	7.0
6	黄念宁		13	32	4.0	5.0