硅的深槽刻蚀技术研究

• 作者: 周明来 张正元 欧益宏
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS SOI 等离子刻蚀 深槽刻蚀 选择比 各向同性 各向异性
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.98+2
• 字数: 2437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2004.01.011

摘要

研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题.实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解决等离子刻蚀中的各向同性问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张正元		14	100	5.0	9.0
2	欧益宏		20	165	7.0	12.0
3	周明来		6	97	6.0	6.0