ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究

• 作者: 刘玉岭 宋志棠 张建新 张楷亮 檀柏梅
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 化学机械抛光 纳米研磨料 硅溶胶 大粒径
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 556-558,563
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.04.004

摘要

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质CMP抛光速率低,急需的大粒径硅溶胶研磨料,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质CMP用大粒径硅溶胶,并采用TEM、激光粒度分析仪和Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征.以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的CMP研究,结果表明,平均粒径103.4 nm的硅溶胶浆料的去除速率达630 nm/min,有效解决了二氧化硅介质CMP低速率的难题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子技术与材料研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
3	张楷亮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	20	581	14.0	20.0
5	张建新	河北工业大学微电子技术与材料研究所	45	348	10.0	15.0
6	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	51	197	8.0	12.0