低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体

• 作者: 刘力锋 刘志凯 张富强 李艳丽 杨少延 陈晨龙 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 铁 低能离子束 重掺杂
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 967-971
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.015

摘要

利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性.