功率半导体应用专栏（连载）（十二）应用于反激变换器中的BIMOSFET的相关性能

• 作者: RalphLocher
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 反激变换器 相关性能 功率半导体 开关管 MOSFET 开关速度 击穿电压 导通损耗 逆变器 开关损耗
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 页码范围: 71-73
• 页数: 3页
• 分类号: TM46

摘要

反激变换器的一个典型应用场合是在逆变器中给IGBT的驱动提供辅助电源。此时反激变换器的开关管需要有比较高的击穿电压和快的开关速度。为了降低开关损耗，开通和关断的能量也要小。BIMOSFET的一个主要的优点就是它的开通损耗小，另外它的导通损耗也比较小。把MOSFET和BIMOSFET对比来看，BIMOSFET的损耗大概要小35％左右。