GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究

• 作者: 唐雄心 李华 李存才 李爱珍 胡建 齐鸣
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP 均匀性 气态源分子束外延 X射线双晶衍射 InGaP/GaAs
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 569-571
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.98+4
• 字数: 1831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.032

摘要

报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs样品的x轴和y轴以5 mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布.结果表明,用GSMBE生长的Φ50 mm和Φ75 mm In0.49Ga0.51P与GaAs衬底的失配度分别为1×10-4和1×10-5,组分波动Φ50 mm沿x轴和y轴分别为±0.1%和±0.2%,Φ75 mm <±1%.表面缺陷密度在1×10～1×102 cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李华	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	189	3087	30.0	49.0
2	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
3	李存才	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
4	胡建	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	5	39	3.0	5.0
5	唐雄心	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	10	2.0	2.0